| Dateityp | APK |
|---|---|
| Ausführung | 1 |
| Herausgeber | EngineeringApps |
| Veröffentlichungsdatum | 15.05.2020 |
| Datum hinzugefügt | 15.05.2020 |
| Os Anforderungen | Android |
| Bedarf | Requires Android 4.0 and up |
| Downloads insgesamt | 0 |
| Preis | $1.49 |
Beschreibung
* Das Halbleiterbauelement, die elektronische Schaltung, besteht aus einem Material, das weder ein guter Leiter noch ein guter Isolator ist.
* Halbleiterbauelemente sind nichts anderes als elektronische Komponenten, die die elektronischen Eigenschaften von Halbleitermaterialien wie Silizium, Germanium und Galliumarsenid sowie organischen Halbleitern nutzen.
Schlüsselbegriffe
o Halbleiter
o Diode
o Transistor
o Bipolartransistor
o Basis
o Sammler
o Sender
o Integrierte Schaltungen
Diese nützliche App listet 160 Themen mit detaillierten Notizen, Diagrammen, Gleichungen, Formeln und Kursmaterial auf, die Themen sind in 5 Kapiteln aufgelistet. Die App ist ein Muss für alle Studenten und Fachleute der Ingenieurwissenschaften.
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Einige der in der App behandelten Themen sind:
1. Das Haynes-Shockley-Experiment
2. Halbleitermaterialien
3. Kristallgitter
4. Kubische Gitter
5. Flugzeuge und Richtungen
6. Das Diamantgitter
7. Massenkristallwachstum
8. Züchtung von Einkristallbarren
9. Waffeln
10. Epitaktisches Wachstum
11. Dampfphasenepitaxie
12. Molekularstrahlepitaxie
13. Ladungsträger in Halbleitern
14. Effektive Masse
15. Intrinsisches Material
16. Fremdmaterial
17. Elektronen und Löcher in Quantenbrunnen
18. Das Fermi-Niveau
19. Kompensation und Raumladungsneutralität
20. Drift und Widerstand
21. Optische Absorption
22. Photolumineszenz
23. Elektrolumineszenz
24. Trägerlebensdauer und Photoleitfähigkeit
25. Direkte Rekombination von Elektronen und Löchern
26. Indirekte Rekombination; Fangen
27. Steady-State-Trägererzeugung; Quasi-Fermi-Niveaus
28. Photoleitfähige Vorrichtungen
29. Diffusionsprozesse
30. Diffusion und Drift von Trägern: eingebaute Felder
31. Diffusion und Rekombination; Die Kontinuitätsgleichung
32. Trägerinjektion im stationären Zustand: Diffusionslänge
33. Gradienten in den Quasi-Fermi-Niveaus
34. Temperaturabhängigkeit der Trägerkonzentrationen
35. Auswirkungen von Temperatur und Doping auf die Mobilität
36. Hochfeldeffekte
37. Der Hall-Effekt
38. Herstellung von p-n-Übergängen: Thermische Oxidation
39. Diffusion des P-N-Übergangs
40. Schnelle thermische Verarbeitung
41. Ionenimplantation
42. Chemische Dampfabscheidung (CVD)
43. Photolithographie
44. Radierung
45. Metallisierung
46. Gleichgewichtsbedingungen
47. Gleichgewichts-Fermi-Niveaus
48. Raumladung an einer Kreuzung
49. Vorwärts- und rückwärts vorgespannte Verbindungen
50. Trägerinjektion
51. Rückwärtsvorspannung
52. Reverse-Bias-Aufschlüsselung
53. Zener-Aufschlüsselung
54. Lawinendurchbruch
55. Gleichrichter
56. Die Breakdown-Diode
57. Übergangs- und A-C-Bedingungen
58. Reverse-Recovery-Übergang
59. Das ideale Diodenmodell
60. Auswirkungen des Kontaktpotentials auf die Trägerinjektion
61. Schaltdioden
62. Kapazität von p-n-Übergängen
63. Rekombination und Generation in der Übergangsregion
64. Ohmsche Verluste
65. Abgestufte Kreuzungen
66. Metall-Halbleiter-Übergänge: Schottky-Barrieren
67. Aktuelle Transportprozesse
68. Thermionische Emissionstheorie
69. Diffusionstheorie
70. Thermionische Emissions-Diffusions-Theorie
71. Korrigieren von Kontakten
72. Tunnelstrom
73. Minoritätsträgerinjektion
74. MIS-Tunneldiode
75. Messung der Barrierenhöhe
76. Messung der Aktivierungsenergie
77. Photoelektrische Messung
78. Ohmsche Kontakte
Jedes Thema ist komplett mit Diagrammen, Gleichungen und anderen Formen der grafischen Darstellung für besseres Lernen und schnelles Verständnis.
Semiconductor Devices ist Teil der ingenieurwissenschaftlichen Studiengänge und Technikstudiengänge verschiedener Universitäten.