MOS ICs & Technology for Android APK

Beschreibung

Hinweise zu MOS-ICs (integrierte Schaltung) und Technologie für einfaches Lernen und schnelles Lernen. Diese App ist eigentlich ein KOSTENLOSES Handbuch, das alle Themen des Fachs abdeckt. Sie können diese App als Notizen betrachten, die Professoren in einem Klassenzimmer führen.

Sie können Ihre Prüfungen und Vorstellungsgespräche ganz einfach bestehen und bestehen, wenn Sie diese App auf Ihrem Handy haben, und sich für ein paar Tage einen Überblick verschaffen.

Es behandelt 114 Themen von Mos-ICs und -Technologie im Detail. Diese 114 Themen sind in 8 Einheiten unterteilt

Einige der in dieser Anwendung behandelten Themen sind:

1. Moores Gesetz.

2. Vergleich verfügbarer Technologien

3. Grundlegende MOS-Transistoren

4. Verbesserungsmodus Transistoraktion:

5. NMOS-Herstellung:

6. CMOS-Herstellung – P-WELL-PROZESS

7. CMOS-Fertigungs-N-WELL-PROZESS:

8. CMOS-Herstellung – Doppelwannenprozess

9. Bi-CMOS-Technologie: - (Bipolar CMOS):

10. Herstellung von E-Beam-Masken

11. Einführung in den MOS-Transistor

12. Beziehung zwischen Vgs und Ids, für einen festen Vds

13. MOS-Gleichungen (DC-Grundgleichungen):

14. Effekte zweiter Ordnung

15. EIGENSCHAFTEN DES CMOS-INVETERS

16. DC-Eigenschaften des Wechselrichters

17. Grafische Ableitung der DC-Kennlinien des Wechselrichters

18. Rauschabstand

19. MOS-Inverter mit statischer Last

20. Transmissionstore

21. Tristate-Wechselrichter

22. Stickdiagramme-Encodings für NMOS-Prozess

23. Kodierungen für CMOS-Prozess

24. Kodierung für BJT und MOSFETs

25. NMOS- und CMOS-Designstil

26. Gestaltungsregeln

27. Über

28. CMOS-Lambda-basierte Entwurfsregeln

29. Orbit 2um CMOS-Prozess

30. Widerstandsschätzung.

31. Flächenwiderstand von MOS-Transistoren

32. Kapazitätsschätzung

33. Verzögerung

34. Verzögerungen des Wechselrichters

35. Formale Schätzung der Verzögerung

36. Antreiben einer großen kapazitiven Last

37. Optimaler Wert von f

38. Superpuffer

39. Bicmos-Treiber

40. Ausbreitungsverzögerung

41. Andere Kapazitätsquellen

42. Wahl der Schichten

43. Skalierung von Mos-Geräten

44. Grundlegender physikalischer Aufbau ein Überblick

45. Grundlegender physikalischer Aufbau ein Überblick

46. ​​Schaltplan und Layout der grundlegenden Gates-Inverter Gate

47. Schema und Layout der grundlegenden Gatter-NAND- und NOR-Gatter

48. Übertragungstor

49. CMOS-Standardzellendesign

50. Layoutoptimierung für Leistung

51. Allgemeine Gestaltungsrichtlinien

52. BICMOS-Logik

53. Pseudo-nmos-Logik

54. Andere Variationen von Pseudo-nmos – Multi-Drain-Logik und Ganged-Logik

55. Andere Variationen von Pseudo-nmos-Dynamische cmos-Logik

56. Andere Variationen von Pseudo-nmos-CLOCKED CMOS LOGIC (C2MOS)

57. CMOS-Dominologik